▲ ▲ 삼성전자의 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램/ 삼성전자 제공

 

메모리 반도체 세계 1위 삼성전자가 최초로 3세대 10나노급(1z) D램 개발에 성공했다. 2세대 10나노급 D램을 양산한 지 16개월 만에 신제품을 내놓는 삼성은 ‘초격차 전략’을 앞세워 시장의 독주체제를 공고히 할 것으로 분석된다.

21일 삼성전자는 “세계에서 처음으로 3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 개발했다”고 발표했다.

해당 제품은 초고가의 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 2017년 개발된 기존 10나노급 D램보다 생산성이 20% 높으며, 빠른 속도로 전력 효율도 우수하다.

삼성전자 관계자는 “생산성 향상은 반도체 회로 간격과 칩 크기를 줄인 결과다”면서 “회로 굵기가 가늘수록 반도체 주재료인 웨이퍼에 새길 수 있는 칩의 수가 많아져 생산성이 높아진다”고 설명했다. 결국 같은 공정으로 더 많은 제품을 만들 수 있어 가격 경쟁력이 높아진다는 말인다.

삼성전자는 이르면 오는 3분기부터 3세대 10나노급 D램을 본격 양산할 예정이다. 오는 2020년에는 성능과 용량을 동시에 향상한 차세대 D램 ‘DDR5’와 ‘LPDDR5’ 등을 본격적으로 공급할 방침이다. ‘DDR’(Double Data Rate)은 D램의 동작 속도로 규정하는 반도체 규격으로 데이터를 읽고 쓰는 속도에 따라 DDR1부터 DDR5까지 구분되며 숫자가 높을수록 데이터 처리 속도가 기존 대비 2배 증가한다.

삼성전자는 차세대 프리미엄 D램 시장을 새로 구축하면서 침체한 메모리 반도체 시황을 정면 돌파하겠다는 전략이다.

삼성전자 관계자는 “글로벌 주요 고객사들과 차세대 시스템 개발단계부터 협력해 글로벌 반도체 시장을 차세대 라인 업으로 빠르게 전환할 것”이라고 밝혔다.

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